Думаю многим будет интересно что же такое флеш память телефона ,как она работает и чем отличаются распространённые типы этого хранителя информации!Но речь идёт не о основной памяти телефона а о дополнительных

Пример:

DB2000 имеют флеш 32 мега, с адреса 0x20000000(дополнительной флеш нет), K600 этой же платформы имеет 2 флешки по 32Мгб одного типа,W900 уже имеет дополнительную флеш Nand
DB201x почти все не имеют дополнительной флеш ,но W550 уже с NAND
DB2020 имеют флешку 64 Mгб (К790,К8*0 также имеют NAND)
A2 все с дополнительной флеш NAND за исключением К850 у которого флеш NOR
Также у W980 есть ещё и SSD ,тип флеш которые планируют использовать в телефонах SE очень широко в ближайшем будущем

Вкратце о самой флеш памяти

Флеш-память (англ. Flash-Memory)
Она может быть прочитана сколько угодно раз,но писать в такую память можно лишь ограниченное число раз (максимально — около миллиона циклов. Распространена флэш-память, выдерживающая около 100 тысяч циклов перезаписи

Типы флеш

NOR-небольшая емкость, прямая непосредственная адресация каждого байта (слова) памяти, следователно поддерживается XIP (eXecute In Place - выполение программы напрямую с кристалла),память годится как для хранения программ так и для хранения данных.
В основе этого типа флеш-памяти лежит ИЛИ‑НЕ элемент (англ. NOR), потому что в транзисторе с плавающим затвором низкое напряжение на затворе обозначает единицу.

Транзистор имеет два затвора: управляющий и плавающий. Последний полностью изолирован и способен удерживать электроны до 10 лет. В ячейке имеются также сток и исток. При программировании напряжением на управляющем затворе создаётся электрическое поле и возникает туннельный эффект. Некоторые электроны туннелируют через слой изолятора и попадают на плавающий затвор, где и будут пребывать. Заряд на плавающем затворе изменяет «ширину» канала сток-исток и его проводимость, что используется при чтении.

Программирование и чтение ячеек сильно различаются в энергопотреблении: устройства флеш-памяти потребляют достаточно большой ток при записи, тогда как при чтении затраты энергии малы.

Для стирания информации на управляющий затвор подаётся высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток.

В NOR архитектуре к каждому транзистору необходимо подвести индивидуальный контакт, что увеличивает размеры схемы и её стоимость

NAND-существенно большая емкость по отношению к NOR, страничная адресация, ( т.е. адресуется страница и данные считываются потоком, обычно 2048 байт), в следствие такой адресации возможность XIP отсутствует, память годится только для хранения данных.

В основе NAND типа лежит И-НЕ элемент (англ. NAND). Принцип работы такой же, от NOR типа отличается только размещением ячеек и их контактами. В результате уже не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, так что размер и стоимость NAND чипа может быть существенно меньше. Так же запись и стирание происходит быстрее. Однако эта архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке.

Недостатки
1. высокая чувствительность к некоторым эффектам, например, внезапной потере питания, магнитным и электрическим полям;
2. ограниченное количество циклов перезаписи: обычная флеш-память позволяет записывать данные до 100 тыс. раз

(с)Hyper1